BSC030N08NS5ATMA1 MOSFET N-Ch 80V 100A

Deskripsi Singkat:

Pabrikan: Teknologi Infineon

Kategori Produk: Transistor – FET, MOSFET – Tunggal

Lembaran data: BSC030N08NS5ATMA1

Deskripsi:MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON

Status RoHS: Sesuai RoHS


Rincian produk

Fitur

Label Produk

♠ Deskripsi Produk

Atribut Produk Nilai Atribut
Pabrikan: Infineon
Kategori Produk: MOSFET
RoHS: Detail
Teknologi: Si
Gaya pemasangan: SMD/SMT
Paket / Kasus: TDSON-8
Polaritas Transistor: Saluran-N
Jumlah Saluran: 1 Saluran
VDS - Tegangan Breakdown Drain-Source: 80 V
Id - Arus Pembuangan Berkelanjutan: 100 A
Rds On - Ketahanan Drain-Source: 4,5 mOhm
Vgs - Tegangan Sumber Gerbang: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tegangan Ambang Gerbang-Sumber: 2.2 V
Qg - Biaya Gerbang: 61 nC
Suhu Operasional Minimum: - 55 C
Suhu Operasional Maksimum: + 150 C
Pd - Disipasi Daya: 139 W
Modus Saluran: Peningkatan
Nama dagang: OptiMOS
Kemasan: Kumparan
Kemasan: Potong Pita
Kemasan: MouseReel
Merek: Teknologi Infineon
Konfigurasi: Lajang
Waktu Musim Gugur: 13 n
Transkonduktansi Maju - Min: 55 S
Tinggi: 1,27 mm
Panjang: 5,9 mm
Tipe produk: MOSFET
Waktu Naik: 12 n
Seri: OptiMOS 5
Jumlah Paket Pabrik: 5000
Subkategori: MOSFET
Tipe Transistor: 1 Saluran-N
Waktu Tunda Pemutusan Tipikal: 43 n
Waktu Tunda Penyalaan Umum: 20 detik
Lebar: 5,15 mm
Bagian # Alias: BSC030N08NS5 SP001077098
Berat unit: 0,017870 ons

 


  • Sebelumnya:
  • Berikutnya:

  • • Dioptimalkan untuk SMP berperforma tinggi, egsync.rec.

    • 100% longsor diuji

    • Ketahanan termal yang unggul

    •N-saluran

    •Memenuhi syarat menurut JEDEC1) untuk aplikasi target

    • Pelapisan timbal bebas Pb; sesuai dengan RoHS

    •Bebas halogen menurut IEC61249-2-21

    Produk-produk terkait