Transistor IGBT FGH40T120SMD-F155 1200V 40A Penghenti Medan Parit IGBT
♠ Deskripsi Produk
| Atribut Produk | Nilai Atribut |
| Pabrikan: | onsemi |
| Kategori Produk: | Transistor IGBT |
| Teknologi: | Si |
| Paket / Kotak: | KE-247G03-3 |
| Gaya Pemasangan: | Melalui Lubang |
| Konfigurasi: | Lajang |
| Tegangan Kolektor-Emitter VCEO Maks: | Tegangan 1200V |
| Tegangan Saturasi Kolektor-Emiter: | 2 tahun |
| Tegangan Emitor Gerbang Maksimum: | 25 tahun |
| Arus Kolektor Kontinu pada 25 C: | 80 Sebuah |
| Pd - Disipasi Daya: | 555W |
| Suhu Operasional Minimum: | - 55 derajat Celcius |
| Suhu Operasional Maksimum: | + 175 derajat Celcius |
| Seri: | FGH40T120SMD |
| Kemasan: | Tabung |
| Merek: | onsemi / Fairchild |
| Arus Kolektor Kontinu Ic Maks: | 40 Sebuah |
| Arus Kebocoran Gerbang-Emitter: | 400nA |
| Tipe Produk: | Transistor IGBT |
| Jumlah Paket Pabrik: | 30 |
| Subkategori: | IGBT (Industri Baterai Lithium Ion) |
| Bagian # Alias: | FGH40T120SMD_F155 |
| Berat Satuan: | 0,225401 ons |
♠ IGBT - Penghenti Lapangan, Parit 1200 V, 40 A FGH40T120SMD, FGH40T120SMD-F155
Dengan menggunakan teknologi IGBT penghenti medan yang inovatif, rangkaian baru IGBT penghenti medan dari ON Semiconductor menawarkan kinerja optimal untuk aplikasi peralihan keras seperti inverter surya, UPS, aplikasi pengelasan dan PFC.
• Teknologi Parit FS, Koefisien Suhu Positif
• Pengalihan Kecepatan Tinggi
• Tegangan Saturasi Rendah: VCE(sat) = 1,8 V @ IC = 40 A
• 100% Bagian diuji untuk ILM (1)
• Impedansi Input Tinggi
• Perangkat ini Bebas Pb dan Sesuai dengan RoHS
• Aplikasi Inverter Surya, Mesin Las, UPS & PFC
