IKW50N65EH5XKSA1 INDUSTRI Transistor IGBT 14

Deskripsi Singkat:

Produsen: Teknologi Infineon
Kategori Produk: Transistor – IGBT – Tunggal
Lembaran data:IKW50N65EH5XKSA1
Keterangan : IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Status RoHS: Sesuai RoHS


Rincian produk

Fitur

Aplikasi

Label Produk

♠ Deskripsi Produk

Atribut Produk Nilai Atribut
Pabrikan: Infineon
Kategori Produk: Transistor IGBT
Teknologi: Si
Paket / Kasus: KE-247-3
Gaya pemasangan: Melalui Lubang
Konfigurasi: Lajang
Tegangan Kolektor-Emitor VCEO Max: 650 V
Tegangan Saturasi Kolektor-Emitor: 1,65 V
Tegangan Emitor Gerbang Maksimum: 20 V
Arus Kolektor Berkelanjutan pada 25 C: 80 A
Pd - Disipasi Daya: 275 W
Suhu Operasional Minimum: - 40 C
Suhu Operasional Maksimum: + 175 C
Seri: Trenchstop IGBT5
Kemasan: Tabung
Merek: Teknologi Infineon
Arus Kebocoran Gerbang-Emitor: 100 nA
Tinggi: 20,7 mm
Panjang: 15,87 mm
Tipe produk: Transistor IGBT
Jumlah Paket Pabrik: 240
Subkategori: IGBT
Nama dagang: TRENCHSTOP
Lebar: 5,31 mm
Bagian # Alias: IKW50N65EH5 SP001257944
Berat unit: 0,213383 ons

 


  • Sebelumnya:
  • Berikutnya:

  • Penawaran teknologi H5 berkecepatan tinggi
    • Efisiensi Terbaik di Kelasnya dalam hardswitching dan topologi resonan
    • Penggantian plug and play dari IGBT generasi sebelumnya
    • Tegangan tembus 650V
    •Biaya gerbang rendahQG
    • IGBTco dikemas dengan dioda RAPID1 yang cepat dan lembut antiparalel
    •Maximumjunctiontemperature175°C
    • Memenuhi syarat menurut JEDEC untuk aplikasi target
    •Leadplating bebas Pb;sesuai dengan RoHS
    •Spektrumproduk lengkap dan ModelPSpice: http://www.infineon.com/igbt/

    • Catu daya yang tidak pernah terputus
    • Solar converter
    • Konverter las
    • Konverter frekuensi peralihan menengah ke atas

    Produk-produk terkait