NCV8402ADDR2G MOSFET 42V2A
♠ Deskripsi Produk
| Atribut Produk | Nilai Atribut |
| Pabrikan: | onsemi |
| Kategori Produk: | MOSFET |
| RoHS: | Detail |
| Teknologi: | Si |
| Gaya pemasangan: | SMD/SMT |
| Paket / Kasus: | SOIC-8 |
| Polaritas Transistor: | Saluran-N |
| Jumlah Saluran: | 2 Saluran |
| VDS - Tegangan Breakdown Drain-Source: | 55 V |
| Id - Arus Pembuangan Berkelanjutan: | 2 A |
| Rds On - Ketahanan Drain-Source: | 165 mOhm |
| Vgs - Tegangan Sumber Gerbang: | - 14 V, + 14 V |
| Vgs th - Tegangan Ambang Gerbang-Sumber: | 1,3 V |
| Qg - Biaya Gerbang: | - |
| Suhu Operasional Minimum: | - 55 C |
| Suhu Operasional Maksimum: | + 150 C |
| Pd - Disipasi Daya: | 800 mW |
| Modus Saluran: | Peningkatan |
| Kualifikasi: | AEC-Q101 |
| Kemasan: | Kumparan |
| Kemasan: | Potong Pita |
| Kemasan: | MouseReel |
| Merek: | onsemi |
| Konfigurasi: | Lajang |
| Tipe produk: | MOSFET |
| Seri: | NCV8402AD |
| Jumlah Paket Pabrik: | 2500 |
| Subkategori: | MOSFET |
| Tipe Transistor: | 2 Saluran-N |
| Berat unit: | 0,002610 ons |
♠Driver Low-Side Perlindungan Diri Ganda dengan Suhu dan Batas Arus
NCV8402D/AD adalah perangkat Low-Side Smart Discrete yang dilindungi ganda.Fitur perlindungan termasuk arus berlebih, suhu berlebih, ESD dan penjepit Drain−to−Gate terintegrasi untuk perlindungan tegangan berlebih.Perangkat ini menawarkan perlindungan dan cocok untuk lingkungan otomotif yang keras.
• Perlindungan Sirkuit Pendek
• Thermal Shutdown dengan Restart Otomatis
• Proteksi tegangan lebih
• Penjepit Terpadu untuk Pengalihan Induktif
• Perlindungan ESD
• Kekokohan dV/dt
• Kemampuan Drive Analog (Input Level Logika)
• Awalan NCV untuk Otomotif dan Aplikasi Lain yang Membutuhkan Lokasi Unik dan Persyaratan Perubahan Kontrol;AEC−Q101 Berkualitas dan Mampu PPAP
• Perangkat ini Bebas Pb−, Bebas Halogen/Bebas BFR dan Sesuai dengan RoHS
• Ganti Berbagai Beban Resistif, Induktif dan Kapasitif
• Dapat Menggantikan Relai Elektromekanis dan Sirkuit Diskrit
• Otomotif / Industri
