NTTFS4C10NTAG MOSFET NFET U8FL 30V 44A 7.4MOHM
♠ Deskripsi Produk
| Atribut Produk | Nilai Atribut |
| Pabrikan: | onsemi |
| Kategori Produk: | MOSFET |
| RoHS: | Detail |
| Teknologi: | Si |
| Gaya pemasangan: | SMD/SMT |
| Paket/Kasus: | WDFN-8 |
| Polaritas Transistor: | Saluran-N |
| Jumlah Saluran: | 1 Saluran |
| VDS - Tegangan Breakdown Drain-Source: | 30 V |
| Id - Arus Pembuangan Berkelanjutan: | 44 A |
| Rds On - Ketahanan Drain-Source: | 7,4 mOhm |
| Vgs - Tegangan Sumber Gerbang: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Tegangan Ambang Gerbang-Sumber: | 1,3 V |
| Qg - Biaya Gerbang: | 18,6 nC |
| Suhu Operasional Minimum: | - 55 C |
| Suhu Operasional Maksimum: | + 150 C |
| Pd - Disipasi Daya: | 3,9 W |
| Modus Saluran: | Peningkatan |
| Kemasan: | Kumparan |
| Kemasan: | Potong Pita |
| Kemasan: | MouseReel |
| Merek: | onsemi |
| Konfigurasi: | Lajang |
| Tipe produk: | MOSFET |
| Seri: | NTTFS4C10N |
| Jumlah Paket Pabrik: | 1500 |
| Subkategori: | MOSFET |
| Berat unit: | 29.570 mg |
♠ NTTFS4C10N MOSFET – Daya, Tunggal, Saluran-N, 8FL 30 V, 44 A
• RDS(on) Rendah untuk Meminimalkan Kerugian Konduksi
• Kapasitansi Rendah untuk Meminimalkan Kerugian Pengemudi
• Mengoptimalkan Gate Charge untuk Meminimalkan Kerugian Switching
• Perangkat ini Bebas Pb−, Bebas Halogen/Bebas BFR dan Sesuai dengan RoHS
• Pengonversi DC−DC
• Sakelar Beban Daya
• Manajemen Baterai Notebook
