STD35P6LLF6 MOSFET saluran-P 60V 0,025Ohm ketik 35A STRipFET F6 MOSFET Daya
♠ Deskripsi Produk
Atribut Produk | Nilai Atribut |
Pabrikan: | STMicroelectronics |
Kategori Produk: | MOSFET |
RoHS: | Detail |
Teknologi: | Si |
Gaya pemasangan: | SMD/SMT |
Paket / Kasus: | KE-252-3 |
Polaritas Transistor: | Saluran-P |
Jumlah Saluran: | 1 Saluran |
VDS - Tegangan Breakdown Drain-Source: | 60 V |
Id - Arus Pembuangan Berkelanjutan: | 35 A |
Rds On - Ketahanan Drain-Source: | 28 mOhm |
Vgs - Tegangan Sumber Gerbang: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Tegangan Ambang Gerbang-Sumber: | 1 V |
Qg - Biaya Gerbang: | 30 nC |
Suhu Operasional Minimum: | - 55 C |
Suhu Operasional Maksimum: | + 175 C |
Pd - Disipasi Daya: | 70 W |
Modus Saluran: | Peningkatan |
Nama dagang: | STRipFET |
Seri: | STD35P6LLF6 |
Kemasan: | Kumparan |
Kemasan: | Potong Pita |
Kemasan: | MouseReel |
Merek: | STMicroelectronics |
Konfigurasi: | Lajang |
Waktu Musim Gugur: | 21 detik |
Tipe produk: | MOSFET |
Waktu Naik: | 39 n |
Jumlah Paket Pabrik: | 2500 |
Subkategori: | MOSFET |
Tipe Transistor: | 1 MOSFET Daya Saluran-P |
Waktu Tunda Pemutusan Tipikal: | 171 n |
Waktu Tunda Penyalaan Umum: | 51,4 detik |
Berat unit: | 0,011640 ons |
♠ STD35P6LLF6 saluran-P 60 V, tipikal 0,025 Ω, 35 A STripFET™ F6 Power MOSFET dalam paket DPAK
Perangkat ini adalah Power MOSFET P-channel yang dikembangkan menggunakan teknologi STRipFET™ F6, dengan struktur gerbang parit baru.Power MOSFET yang dihasilkan menunjukkan RDS(on) yang sangat rendah di semua paket.
Resistensi yang sangat rendah
Biaya gerbang sangat rendah
Kekasaran longsoran yang tinggi
Kehilangan daya penggerak gerbang rendah
Beralih aplikasi