STD35P6LLF6 MOSFET saluran-P 60V 0,025Ohm ketik 35A STRipFET F6 MOSFET Daya

Deskripsi Singkat:

Produsen: STMicroelectronics
Kategori Produk: Transistor – FET, MOSFET – Tunggal
Lembaran data:STD35P6LLF6
Keterangan: MOSFET P-CH 60V 35A DPAK
Status RoHS: Sesuai RoHS


Rincian produk

Fitur

aplikasi

Label Produk

♠ Deskripsi Produk

Atribut Produk Nilai Atribut
Pabrikan: STMicroelectronics
Kategori Produk: MOSFET
RoHS: Detail
Teknologi: Si
Gaya pemasangan: SMD/SMT
Paket / Kasus: KE-252-3
Polaritas Transistor: Saluran-P
Jumlah Saluran: 1 Saluran
VDS - Tegangan Breakdown Drain-Source: 60 V
Id - Arus Pembuangan Berkelanjutan: 35 A
Rds On - Ketahanan Drain-Source: 28 mOhm
Vgs - Tegangan Sumber Gerbang: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tegangan Ambang Gerbang-Sumber: 1 V
Qg - Biaya Gerbang: 30 nC
Suhu Operasional Minimum: - 55 C
Suhu Operasional Maksimum: + 175 C
Pd - Disipasi Daya: 70 W
Modus Saluran: Peningkatan
Nama dagang: STRipFET
Seri: STD35P6LLF6
Kemasan: Kumparan
Kemasan: Potong Pita
Kemasan: MouseReel
Merek: STMicroelectronics
Konfigurasi: Lajang
Waktu Musim Gugur: 21 detik
Tipe produk: MOSFET
Waktu Naik: 39 n
Jumlah Paket Pabrik: 2500
Subkategori: MOSFET
Tipe Transistor: 1 MOSFET Daya Saluran-P
Waktu Tunda Pemutusan Tipikal: 171 n
Waktu Tunda Penyalaan Umum: 51,4 detik
Berat unit: 0,011640 ons

♠ STD35P6LLF6 saluran-P 60 V, tipikal 0,025 Ω, 35 A STripFET™ F6 Power MOSFET dalam paket DPAK

Perangkat ini adalah Power MOSFET P-channel yang dikembangkan menggunakan teknologi STRipFET™ F6, dengan struktur gerbang parit baru.Power MOSFET yang dihasilkan menunjukkan RDS(on) yang sangat rendah di semua paket.


  • Sebelumnya:
  • Berikutnya:

  •  Resistensi yang sangat rendah

     Biaya gerbang sangat rendah

     Kekasaran longsoran yang tinggi

     Kehilangan daya penggerak gerbang rendah

     Beralih aplikasi

    Produk-produk terkait