STD4NK100Z MOSFET N-channel kelas otomotif 1000 V, 5,6 Ohm tipe 2,2 A SuperMESH Power MOSFET
♠ Deskripsi Produk
Atribut Produk | Nilai Atribut |
Pabrikan: | STMicroelectronics |
Kategori Produk: | MOSFET |
RoHS: | Detail |
Teknologi: | Si |
Gaya pemasangan: | SMD/SMT |
Paket / Kasus: | KE-252-3 |
Polaritas Transistor: | Saluran-N |
Jumlah Saluran: | 1 Saluran |
VDS - Tegangan Breakdown Drain-Source: | 1 kV |
Id - Arus Pembuangan Berkelanjutan: | 2.2 A |
Rds On - Ketahanan Drain-Source: | 6,8 Ohm |
Vgs - Tegangan Sumber Gerbang: | - 30 V, + 30 V |
Vgs th - Tegangan Ambang Gerbang-Sumber: | 4,5 V |
Qg - Biaya Gerbang: | 18 nC |
Suhu Operasional Minimum: | - 55 C |
Suhu Operasional Maksimum: | + 150 C |
Pd - Disipasi Daya: | 90 W |
Modus Saluran: | Peningkatan |
Kualifikasi: | AEC-Q101 |
Nama dagang: | SuperMESH |
Seri: | STD4NK100Z |
Kemasan: | Kumparan |
Kemasan: | Potong Pita |
Kemasan: | MouseReel |
Merek: | STMicroelectronics |
Konfigurasi: | Lajang |
Waktu Musim Gugur: | 39 n |
Tinggi: | 2,4 mm |
Panjang: | 10,1 mm |
Produk: | MOSFET daya |
Tipe produk: | MOSFET |
Waktu Naik: | 7,5 detik |
Jumlah Paket Pabrik: | 2500 |
Subkategori: | MOSFET |
Tipe Transistor: | 1 Saluran-N |
Jenis: | SuperMESH |
Waktu Tunda Penyalaan Umum: | 15 menit |
Lebar: | 6,6 mm |
Berat unit: | 0,011640 ons |
♠ N-channel kelas otomotif 1000 V, tipikal 5,6 Ω, 2,2 A SuperMESH™ Power MOSFET Terlindung zener dalam DPAK
Perangkat ini adalah Power MOSFET N-channel Zener-protected yang dikembangkan menggunakan teknologi SuperMESH™ STMicroelectronics, dicapai melalui optimalisasi tata letak PowerMESH™ berbasis strip ST yang mapan.Selain pengurangan resistansi yang signifikan, perangkat ini dirancang untuk memastikan kemampuan dv/dt tingkat tinggi untuk aplikasi yang paling menuntut.
• Dirancang untuk aplikasi otomotif dan memenuhi syarat AEC-Q101
• Kemampuan dv/dt yang sangat tinggi
• 100% longsoran diuji
• Biaya gerbang diminimalkan
• Kapasitansi intrinsik yang sangat rendah
• Dilindungi zener
• Beralih aplikasi