IPD50N04S4-08 MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2

Deskripsi Singkat:

Produsen: Infineon
Kategori Produk: MOSFET
Lembaran data:IPD50N04S4-08
Keterangan: MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
Status RoHS: Sesuai RoHS


Rincian produk

Fitur

Label Produk

♠ Deskripsi Produk

Atribut Produk Nilai Atribut
Pabrikan: Infineon
Kategori Produk: MOSFET
Teknologi: Si
Gaya pemasangan: SMD/SMT
Paket / Kasus: KE-252-3
Polaritas Transistor: Saluran-N
Jumlah Saluran: 1 Saluran
VDS - Tegangan Breakdown Drain-Source: 40 V
Id - Arus Pembuangan Berkelanjutan: 50 A
Rds On - Ketahanan Drain-Source: 7,2 mOhm
Vgs - Tegangan Sumber Gerbang: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tegangan Ambang Gerbang-Sumber: 2 V
Qg - Biaya Gerbang: 22,4 nC
Suhu Operasional Minimum: - 55 C
Suhu Operasional Maksimum: + 175 C
Pd - Disipasi Daya: 46 W
Modus Saluran: Peningkatan
Kualifikasi: AEC-Q101
Nama dagang: OptiMOS
Kemasan: Kumparan
Kemasan: Potong Pita
Kemasan: MouseReel
Merek: Teknologi Infineon
Konfigurasi: Lajang
Waktu Musim Gugur: 6 n
Tinggi: 2,3 mm
Panjang: 6,5 mm
Tipe produk: MOSFET
Waktu Naik: 7 n
Seri: OptiMOS-T2
Jumlah Paket Pabrik: 2500
Subkategori: MOSFET
Tipe Transistor: 1 Saluran-N
Waktu Tunda Pemutusan Tipikal: 5 n
Waktu Tunda Penyalaan Umum: 5 n
Lebar: 6,22 mm
Bagian # Alias: IPD5N4S48XT SP000711450 IPD50N04S408ATMA1
Berat unit: 0,011640 ons

  • Sebelumnya:
  • Berikutnya:

  • • N-channel – Mode peningkatan
    • AEC memenuhi syarat
    • MSL1 hingga 260°C peak reflow
    • Suhu pengoperasian 175°C
    • Produk Ramah Lingkungan (sesuai RoHS)
    • 100% longsor diuji

    Produk-produk terkait