LM74800QDRRRQ1 3-V hingga 65-V, pengontrol dioda ideal otomotif yang menggerakkan bolak-balik NFET 12-WSON -40 hingga 125
♠ Deskripsi Produk
| Atribut Produk | Nilai Atribut |
| Pabrikan: | Instrumen Texas |
| Kategori Produk: | Manajemen Daya Khusus - PMIC |
| Seri: | LM7480-Q1 |
| Jenis: | Otomotif |
| Gaya pemasangan: | SMD/SMT |
| Paket / Kasus: | WSON-12 |
| Arus Keluaran: | 2 A, 4 A |
| Kisaran Tegangan Input: | 3 V hingga 65 V |
| Kisaran Tegangan Keluaran: | 12,5 V hingga 14,5 V |
| Suhu Operasional Minimum: | - 40 C |
| Suhu Operasional Maksimum: | + 125 C |
| Kemasan: | Kumparan |
| Kemasan: | Potong Pita |
| Kemasan: | MouseReel |
| Merek: | Instrumen Texas |
| Tegangan Input, Maks: | 65 V |
| Tegangan Input, Min: | 3 V |
| Tegangan Keluaran Maksimum: | 14,5 V |
| Sensitif terhadap kelembaban: | Ya |
| Tegangan Pasokan Operasi: | 6 V hingga 37 V |
| Tipe produk: | Manajemen Daya Khusus - PMIC |
| Jumlah Paket Pabrik: | 3000 |
| Subkategori: | PMIC - IC Manajemen Daya |
♠ Pengontrol Dioda Ideal LM7480-Q1 dengan Proteksi Pembuangan Beban
Pengontrol dioda ideal LM7480x-Q1 menggerakkan dan mengontrol MOSFET N-Channel back to back eksternal untuk meniru penyearah dioda ideal dengan kontrol ON/OFF jalur daya dan perlindungan tegangan berlebih.Pasokan input yang luas dari 3 V hingga 65 V memungkinkan perlindungan dan kontrol ECU bertenaga baterai otomotif 12-V dan 24-V.Perangkat ini dapat menahan dan melindungi beban dari tegangan suplai negatif hingga –65 V. Pengontrol dioda ideal terintegrasi (DGATE) menggerakkan MOSFET pertama untuk menggantikan dioda Schottky untuk perlindungan masukan terbalik dan penahanan tegangan keluaran.Dengan MOSFET kedua di jalur daya, perangkat memungkinkan pemutusan beban (kontrol ON/OFF) dan perlindungan tegangan berlebih menggunakan kontrol HGATE.Perangkat ini memiliki fitur perlindungan cut-off tegangan berlebih yang dapat disesuaikan.LM7480-Q1 memiliki dua varian yaitu LM74800-Q1 dan LM74801-Q1.LM74800-Q1 menggunakan pemblokiran arus balik menggunakan regulasi linier dan skema pembanding vs. LM74801-Q1 yang mendukung skema berbasis pembanding.Dengan konfigurasi Common Drain MOSFET daya, titik tengah dapat digunakan untuk desain OR menggunakan dioda ideal lainnya.LM7480x-Q1 memiliki peringkat tegangan maksimum 65 V. Beban dapat dilindungi dari transien tegangan berlebih yang diperpanjang seperti 200-V Unsuppressed Load Dumps dalam sistem Baterai 24-V dengan mengonfigurasi perangkat dengan MOSFET eksternal dalam topologi Common Source
• AEC-Q100 memenuhi syarat untuk aplikasi otomotif
– Tingkat suhu perangkat 1:
Kisaran suhu pengoperasian ambien –40°C hingga +125°C
– Klasifikasi perangkat HBM ESD level 2
– Tingkat klasifikasi CDM ESD perangkat C4B
• Kisaran input 3-V hingga 65-V
• Membalikkan proteksi input ke –65 V
• Menggerakkan MOSFET N-Channel back-to-back eksternal dalam konfigurasi common drain dan common source
• Pengoperasian dioda yang ideal dengan pengaturan penurunan tegangan maju 10,5 mV A ke C (LM74800-Q1)
• Ambang deteksi balik rendah (–4,5 mV) dengan respons cepat (0,5 µs)
• Arus turnon gerbang puncak (DGATE) 20 mA
• 2,6-A puncak arus mematikan DGATE
• Perlindungan tegangan berlebih yang dapat disesuaikan
• Arus shutdown rendah 2,87-µA (EN/UVLO=Rendah)
• Memenuhi persyaratan transien ISO7637 otomotif dengan dioda TVS yang sesuai
• Tersedia dalam paket WSON 12-Pin hemat ruang
• Perlindungan baterai otomotif
– Pengontrol domain ADAS
– ECU kamera
- Kepala Unit
– USB HUB
• Aktif ORing untuk daya redundan
