NTMFS4C029NT1G MOSFET PARU 6 30V NCH
♠ Deskripsi Produk
| Atribut Produk | Nilai Atribut |
| Pabrikan: | onsemi |
| Kategori Produk: | MOSFET |
| RoHS: | Detail |
| Teknologi: | Si |
| Gaya pemasangan: | SMD/SMT |
| Paket / Kasus: | SO-8FL-4 |
| Polaritas Transistor: | Saluran-N |
| Jumlah Saluran: | 1 Saluran |
| VDS - Tegangan Breakdown Drain-Source: | 30 V |
| Id - Arus Pembuangan Berkelanjutan: | 46 A |
| Rds On - Ketahanan Drain-Source: | 4,9 mOhm |
| Vgs - Tegangan Sumber Gerbang: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Tegangan Ambang Gerbang-Sumber: | 2.2 V |
| Qg - Biaya Gerbang: | 18,6 nC |
| Suhu Operasional Minimum: | - 55 C |
| Suhu Operasional Maksimum: | + 150 C |
| Pd - Disipasi Daya: | 23,6 W |
| Modus Saluran: | Peningkatan |
| Kemasan: | Kumparan |
| Kemasan: | Potong Pita |
| Kemasan: | MouseReel |
| Merek: | onsemi |
| Konfigurasi: | Lajang |
| Waktu Musim Gugur: | 7 n |
| Transkonduktansi Maju - Min: | 43 S |
| Tipe produk: | MOSFET |
| Waktu Naik: | 34 n |
| Seri: | NTMFS4C029N |
| Jumlah Paket Pabrik: | 1500 |
| Subkategori: | MOSFET |
| Tipe Transistor: | 1 Saluran-N |
| Waktu Tunda Pemutusan Tipikal: | 14 n |
| Waktu Tunda Penyalaan Umum: | 9 n |
| Berat unit: | 0,026455 ons |
• RDS(on) Rendah untuk Meminimalkan Kerugian Konduksi
• Kapasitansi Rendah untuk Meminimalkan Kerugian Pengemudi
• Mengoptimalkan Gate Charge untuk Meminimalkan Kerugian Switching
• Perangkat ini Bebas Pb−, Bebas Halogen/Bebas BFR dan Sesuai dengan RoHS
• Pengiriman Daya CPU
• Pengonversi DC−DC
