STD86N3LH5 MOSFET saluran-N 30 V

Deskripsi Singkat:

Produsen: STMicroelectronics
Kategori Produk: MOSFET
Lembaran data:STD86N3LH5
Deskripsi:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
Status RoHS: Sesuai RoHS


Rincian produk

Fitur

Aplikasi

Label Produk

♠ Deskripsi Produk

Atribut Produk Nilai Atribut
Pabrikan: STMicroelectronics
Kategori Produk: MOSFET
RoHS: Detail
Teknologi: Si
Gaya pemasangan: SMD/SMT
Paket/Kasus: KE-252-3
Polaritas Transistor: Saluran-N
Jumlah Saluran: 1 Saluran
VDS - Tegangan Breakdown Drain-Source: 30 V
Id - Arus Pembuangan Berkelanjutan: 80 A
Rds On - Ketahanan Drain-Source: 5 mOhm
Vgs - Tegangan Sumber Gerbang: - 22 V, + 22 V
Vgs th - Tegangan Ambang Gerbang-Sumber: 1 V
Qg - Biaya Gerbang: 14 nC
Suhu Operasional Minimum: - 55 C
Suhu Operasional Maksimum: + 175 C
Pd - Disipasi Daya: 70 W
Modus Saluran: Peningkatan
Kualifikasi: AEC-Q101
Kemasan: Kumparan
Kemasan: Potong Pita
Kemasan: MouseReel
Merek: STMicroelectronics
Konfigurasi: Lajang
Waktu Musim Gugur: 10,8 detik
Tinggi: 2,4 mm
Panjang: 6,6 mm
Tipe produk: MOSFET
Waktu Naik: 14 n
Seri: STD86N3LH5
Jumlah Paket Pabrik: 2500
Subkategori: MOSFET
Tipe Transistor: 1 Saluran-N
Waktu Tunda Pemutusan Tipikal: 23,6 detik
Waktu Tunda Penyalaan Umum: 6 n
Lebar: 6,2 mm
Berat unit: 330 mg

♠ N-channel kelas otomotif 30 V, tipe 0,0045 Ω, 80 A STripFET H5 Power MOSFET dalam paket DPAK

Perangkat ini adalah Power MOSFET N-channel yang dikembangkan menggunakan teknologi STripFET™ H5 dari STMicroelectronics.Perangkat telah dioptimalkan untuk mencapai resistansi on-state yang sangat rendah, berkontribusi pada FoM yang termasuk yang terbaik di kelasnya.


  • Sebelumnya:
  • Berikutnya:

  • • Dirancang untuk aplikasi otomotif dan memenuhi syarat AEC-Q101

    • RDS dengan resistensi rendah (aktif)

    • Kekasaran longsoran yang tinggi

    • Rugi daya penggerak gerbang rendah

    • Beralih aplikasi

    Produk-produk terkait