NVTFS5116PLTWG MOSFET Saluran-P Tunggal 60V,14A,52mohm
♠ Deskripsi Produk
| Atribut Produk | Nilai Atribut |
| Pabrikan: | onsemi |
| Kategori Produk: | MOSFET |
| Teknologi: | Si |
| Gaya pemasangan: | SMD/SMT |
| Paket / Kasus: | WDFN-8 |
| Polaritas Transistor: | Saluran-P |
| Jumlah Saluran: | 1 Saluran |
| VDS - Tegangan Breakdown Drain-Source: | 60 V |
| Id - Arus Pembuangan Berkelanjutan: | 14 A |
| Rds On - Ketahanan Drain-Source: | 52 mOhm |
| Vgs - Tegangan Sumber Gerbang: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Tegangan Ambang Gerbang-Sumber: | 3 V |
| Qg - Biaya Gerbang: | 25 nC |
| Suhu Operasional Minimum: | - 55 C |
| Suhu Operasional Maksimum: | + 175 C |
| Pd - Disipasi Daya: | 21 W |
| Modus Saluran: | Peningkatan |
| Kualifikasi: | AEC-Q101 |
| Kemasan: | Kumparan |
| Kemasan: | Potong Pita |
| Kemasan: | MouseReel |
| Merek: | onsemi |
| Konfigurasi: | Lajang |
| Transkonduktansi Maju - Min: | 11 S |
| Tipe produk: | MOSFET |
| Seri: | NVTFS5116PL |
| Jumlah Paket Pabrik: | 5000 |
| Subkategori: | MOSFET |
| Tipe Transistor: | 1 P-Saluran |
| Berat unit: | 0,001043 ons |
• Jejak Kecil (3,3 x 3,3 mm) untuk Desain Ringkas
• RDS(on) Rendah untuk Meminimalkan Kerugian Konduksi
• Kapasitansi Rendah untuk Meminimalkan Kerugian Pengemudi
• NVTFS5116PLWF − Produk Sisi yang Dapat Dibasahi
• AEC−Q101 Berkualitas dan Mampu PPAP
• Perangkat ini Bebas-Pb dan Sesuai dengan RoHS
